Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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SYIS: In-situ-Charakterisierung von Schichtabscheideprozessen

SYIS 3: In-Situ-Charakterisierung: Schichtanalytik

SYIS 3.1: Hauptvortrag

Montag, 27. März 2000, 17:30–18:15, H 32

In-situ-Diagnostik der plasmagestützten Schichtabscheidung mit IR-Reflexionsspektroskopie — •A. Lunk, P. Bachem, P. Scheible und L. Ulrich — Institut für Plasmaforschung, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 31, 70569 Stuttgart

Zur In-situ-Diagnostik des Schichtwachstums unter Plasmabedingungen kann wegen der vorhandenen hohen Ladungsträgerkonzentration ausschließlich die Wechselwirkung der Photonen mit der Festkörperoberfläche herangezogen werden. Von den möglichen Verfahren (Röntgenbeugung, Raman-Spektroskopie, Reflexionsspektroskopie) hat sich die Reflexionsspektroskopie mit nichtpolarisiertem und polarisiertem Licht (polarized reflection spectroscopy - PRS, spectroscopic ellipsometry - SE) durchgesetzt. Im Beitrag werden nach einer kurzen Einführung in die Grundlagen der Reflexionsspektroskopie Ergebnisse der Untersuchungen mit sichtbarem und infrarotem Licht vorgestellt. In situ wurde das plasmagestützte Schichtwachstum von Bornitrid mit IR-Reflexionsspektroskopie, IR-Reflexionsspektroskopie mit polarisiertem Licht (PIRRS), IR-Ellipsometrie (IRSE) und Ellipsometrie im sichtbaren Wellenlängenbereich untersucht. Durch die Wahl der unterschiedlichen Wellenlängen können aus verschiedenen Bereichen der Wachstumsfront Informationen über die auftretenden Mechanismen erhalten werden. Der Einfluß der Abscheidebedingungen auf die mittels In-situ-Reflexionsspektroskopie erzielten Ergebnisse zur Wachstumskinetik wird im Detail vorgestellt und diskutiert.