Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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TT: Tiefe Temperaturen
TT 23: Elektronenstruktur in HTSL
TT 23.2: Vortrag
Freitag, 31. März 2000, 10:00–10:15, H18
Polarisations- und Dotierungseffekte in ARPES und XAS Spektren von Bi2Sr2−xLaxCuO6+δ-Einkristallen — •R. Müller, C. Janowitz, M. Schneider, R.-St. Unger, A. Krapf, H. Dwelk und R. Manzke — Institut für Physik, Humboldt-Universität zu Berlin, Invalidenstraße 110, 10115 Berlin
Bei den Hochtemperatursupraleitern hängt die Auflösung der Zustände in der Nähe der Fermi Energie von einer Vielzahl von Parametern, wie z.B. Winkel- und Energieauflösung, Temperatur und der Polarisation der einfallenden Strahlung, ab. Im Fall des Einschichtsystems Bi2Sr2−xLaxCuO6+δ mit einer maximalen Sprungtemperatur von 29 K ist der Einfluß Temperatur auf die Linienform im normalleitenden Zustand geringer als z.B. beim vielfach untersuchten n=2 Systems Bi2Sr2−xLaxCaCu2O8+δ (Tcmax=93 K).In diesem Zusammenhang haben wir die Fermi Fläche des n=1 Materials mit Hilfe der winkelaufgelösten Photoemissionsspektroskopie (ARPES) untersucht, wobei Anregungsenergie (18 und 34 eV) und Polarisationsgeometrie variiert wurden. Die auftretenden Unterschiede in der Linienform (siehe z.B.[1]), die besonders auffallend am M-Punkt auftreten, werden diskutiert. Zusätzlich stellen wir Ergebnisse der polarisationsabhängigen Röntgenabsorptionsspektroskopie (XAS) am System Bi2Sr2−xLaxCuO6+δ vor und vergleichen diese mit Messungen am verwandten n=2 System Bi2Sr2−xLaxCaCu2O8+δ.
[1] C.Janowitz et al. Physica B, 259-261 (1999) 1134 Gefördert durch das BMBF (Projekt−Nr. 05SB8KH10)