Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
TT: Tiefe Temperaturen
TT 9: Mesoskopische Systeme
TT 9.5: Vortrag
Dienstag, 28. März 2000, 11:30–11:45, H18
Elektronischer Transport in mesoskopischen Nb/InAs-HEMTs auf GaAs — •Andreas Richter, Kay Biedermann, Alexander Friedrichs, Peter Erhart, Toru Matsuyama und Ulrich Merkt — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11, 20355 Hamburg
Wir präsentieren elektronische Transporteigenschaften mesoskopischer Supraleiter(S)/Halbleiter(N) Bauelemente. Unsere mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) gewachsenen modulationsdotierten InAs-Heterostrukturen (HEMTs:high electron mobility transistors) auf GaAs-Substraten weisen mittlere freie Weglängen von über 2 µm bei tiefen Temperaturen auf. Sie sind damit die derzeit höchstbeweglichen Proben in diesem Materialsystem. Josephson-Kontakte, die durch eine seitliche Ankontaktierung des zweidimensionalen Elektronengases (2DEG) der Heterostruktur mit gesputterten Nb-Schichten hergestellt werden, besitzen eine sehr gute Grenzflächentransparenz. Dies resultiert in hohen ICRN-Produkten von derzeit bis zu 140 µV bei 1.7 K. Basierend auf diesen Kontakten haben wir Josephson-Feldeffekt-Transistoren, SNS-Transistoren und Strukturen zur Andreev-Level-Spektroskopie hergestellt. Wir diskutieren die Transporteigenschaften und geben einen Vergleich zu vorhandenen theoretischen Beschreibungen.