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AM: Magnetismus
AM 11: Magnetowiderstand II
AM 11.11: Vortrag
Mittwoch, 28. März 2001, 16:30–16:45, S 5.4
Temperaturabhängiger Magnetowiderstand von magnetischen Tunnelelementen mit UV-Licht oxidierten AlOx Barrieren — •K. Samm, R. Calarco, U. May, H. Kittur, J. Hauch, U. Rüdiger und G. Güntherodt — 2. Physikalisches Institut, RWTH Aachen, 52056 Aachen
Tunnelelemente mit Co(10 nm)/AlOx(nominell 2 nm)/Co(20 nm)
wurden im UHV mit Hilfe einer Schattenmaskentechnik präpariert.
Ein UV-Licht unterstützter Oxidationsprozess der AlOx
Tunnelbarriere wurde mit in-situ
Röntgenphotoelektronenspektroskopie (XPS) in Verbindung mit
temperaturabhängigen Magnetotransportmessungen optimiert. Optimal
oxidierte Tunnelelemente zeigen einen Magnetwiderstand von 20 %
bei 285 K und bis zu 38 % bei 100 K. Für unteroxidierte
Proben mit einer verbleibenden Al-Schicht zwischen der
Co-Grundelektrode und der AlOx Barriere verringert sich der
Tunnelmagnetowiderstand bei Zunahme der Temperatur stärker als
für überoxidierte Proben. Das Flächenwiderstandsprodukt
R×A der optimal oxidierten (und leicht überoxidierten)
Tunnelelemente zeigt ein Minimum und erhöht sich für unter- und
stärker überoxidierte Proben.
Gefördert durch
BMBF (13N7329).