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DS: Dünne Schichten
DS 12: Schichtherstellung II
DS 12.2: Vortrag
Dienstag, 27. März 2001, 10:30–10:45, S 13/14
Herstellung und Photoemissionsuntersuchung von MoTe2 Dünnschichten — •T. Bork, R. Severin, C. Janowitz und R. Manzke — Institut f. Physik, Humboldt Universität zu Berlin, Invalidenstr. 110 10437 Berlin
Die zu den Schichtkristallen gehörenden Molybdän-Dichalkogenide (MoX2) bilden eine Struktur von zwei hexagonal versetzt gepackten Lagen aus X-Mo-X. Es wird auf das Verfahren bei der Herstellung vollständiger Schichten durch die van-der-Waals-Epitaxie eingegangen. Hierbei wurde eine Knudsen-Efusionszelle für Tellur sowie ein Elektronenstrahlverdampfer für Molybdän verwendet. Auf MoS2-Substrate wurden MoTe2 Schichten verschiedener Dicke aufgebracht und mit Hilfe von Beugung langsamer Elektronen(LEED), Auger-Elektronen Spektroskopie(AES) und winkelaufgelöster Photoelektronen Spektroskopie(ARPES) charakterisiert. Hierbei werden besonders Effekte beim Übergang von wenigen an der Substratoberfläche adsorbierten MoTe2-Molekülen bis hin zur vollständigen Bedeckung des Substrats mit MoTe2 untersucht. Die Motivation dieser Untersuchungen liegt in der Entwicklung einer Tandemsolarzelle aus Schichtkristallen der Übergangsmetalldichalkogenide. So können inzwischen Schichten von MoS2 mit einer fundamentalen Energielücke von 1,3eV über MoSe2 mit 1,1eV bis MoTe2 mit 1,0eV miteinander kombiniert werden. Gefördert durch das BMBF (Projekt-Nr. 05SE8KHA9).