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DS: Dünne Schichten

DS 13: Schichtherstellung III

DS 13.3: Talk

Tuesday, March 27, 2001, 11:30–11:45, S 13/14

KONTAKTIERUNG VERGRABENER SIC-SCHICHTEN MITTELS IMPLANTATION VON ÜBERGANGSMETALLEN — •J.K.N. Lindner, S. Wenzel und B. Stritzker — Universität Augsburg, Institut für Physik, 86135 Augsburg

Mittels Ionenstrahlsynthese können in Si(100) und Si(111) großflächig heteroepitaktische 3C-SiC-Schichten hergestellt werden, die mit einer kristallinen Silizium-Schicht bedeckt sind. Diese Si-Deckschicht kann als Ausgangsmaterial dienen, um auf der SiC-Schicht einen hochtemperaturbeständigen metallischen Kontakt aus einem Übergangsmetallsilizid zu erzeugen. In diesem Beitrag wird anhand von Mo und Ti Implantationen gezeigt, daß die Menge an Metallatomen, die zur Umwandlung der Si-Deckschicht in eine Metallsilizidschicht angeboten wird, genau kontrolliert werden muß: Bei unzureichend kleinen Metallmengen ist keine vollständige Umwandlung möglich, bei zu großem Metallangebot wird zur Einstellung der thermodynamisch günstigen Disilizidphasen Si aus dem Substrat durch die SiC-Schicht transportiert und es ergeben sich Hohlräume an der unteren SiC/Si-Grenzfläche. Bei exakt gewählter Dosis zeigen RBS, XTEM, EFTEM, ED, XRD, SEM, AFM und elektrische Untersuchungen texturierte, gut leitende C54-TiSi₂-Schichten in direktem Kontakt mit der darunterliegenden SiC/Si-Struktur, die bis zu 900^∘C stabil sind. Über die Wahl der Targettemperatur läßt sich die Ebenheit der Oberfläche einstellen.