Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 22: Schichteigenschaften V

DS 22.2: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 11:00–11:15, S 13/14

Bestimmung lokaler Eigenspannungen in Poly-Silizium-Membranen mit Raman-Spektroskopie — •Rhena Krawietz¹, Wolfgang Pompe¹ und Bernhard Winkler² — ¹TU Dresden, Institut für Werkstoffwissenschaft,01062 Dresden — ²Infineon, 81730 München

Dünne Schichten aus polykristallinem Silizium (poly-Si), welche durch Stützen aus Siliziumoxid getragen werden, dienen zur thermischen Isolierung von integrierten Pyrosensoren. Eigenspannungen in der Membran können deren Stabilität und den Eigenspannungszustand des Sensors beeinflussen.
Unter Ausnutzung des piezo-spektroskopischen Effektes wurde die Schichtspannung aus dem Raman-Spektrum der poly-Si-Schicht bestimmt. Der Verlauf dieser Spannung wurde oberhalb der Stützen mit einer Ortsauflösung von 1 µm gemessen.
Es wurde der Spannungszustand in der Umgebung einer Stütze mit der Methode der Finiten Elemente berechnet und ein Modell entwickelt, welches den gemessenen Spannungsverlauf aus der Überlagerung einer herstellungsbedingten mittleren Eigenspannung in der poly-Si-Schicht und lokalen Eigenspannungen, welche durch die Oxidstüetzen eingetragen werden, erklärt.