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DS: Dünne Schichten

DS 23: Spezielle Schichten I

DS 23.1: Invited Talk

Thursday, March 29, 2001, 14:00–14:45, S 13/14

Neue Dünnschichtmaterialien für die fortgeschrittene Mikroelektronik — •Stefan E. Schulz und Thomas Gessner — TU Chemnitz, Zentrum für Mikrotechnologien, 09107 Chemnitz

Mit dem weiteren Fortschreiten der Skalierung in der Mikroelektronik bis über das Jahr 2010 hinaus (International Technology Roadmap for Semiconductors) werden Grenzen der Einsetzbarkeit konventioneller Materialien wie Aluminium und Siliciumdioxid als funktionale Dünnschichten erreicht. Sowohl in der Metallisierung als auch bei der Realisierung der Transistoren und Speicherkondensatoren hat der Einsatz alternativer Materialien mit verbesserten Eigenschaften bereits begonnen oder ist in Vorbereitung. Es werden die Anforderungen an neue Materialen für Leitbahnen, Diffusionsbarrieren, Isolatoren (low-k Dielektrika, Gateoxide, Dielektrika für Speicherkondensatoren) diskutiert. Verschiedene Materialien bzw. Materialgruppen werden bezüglich ihrer Eigenschaften und Integrierbarkeit verglichen und Prozesse und Technologien zu deren Abscheidung und Integration vorgestellt.