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DS: Dünne Schichten
DS 27: c-BN:X
DS 27.3: Talk
Friday, March 30, 2001, 12:00–12:15, S 5.1
Dotierung von kubischen Bornitrid-Schichten mit Aluminium — •Thomas Pfeifer, Thomas Welzel, Ellen Weißmantel, Hartmut Kupfer, Volker Linß und Frank Richter — Institut für Physik, TU Chemnitz, 09107 Chemnitz
Mittels HF-Magnetron-Zerstäubung eines h-BN-Targets in reiner N2-Atmosphäre abgeschiedene c-BN-Schichten wurden mit Aluminium dotiert. Dafür wurde während des Abscheideprozesses zusätzlich eine Ringelektrode aus Aluminium hoher Reinheit um das zylindrische Magnetron positioniert und mit einer negativen Spannung betrieben. Als prozeßbestimmender Parameter wurde die Leistung an der Al-Elektrode variiert. Der Einfluß der Zusatzelektrode auf die Entladungscharakteristik im Substratbereich wurde mit LANGMUIR-Doppelsondenmessungen untersucht. Die Aluminiumatome in der Entladung konnten mit Laserinduzierter Fluoreszenz (LIF) nachgewiesen werden. Die Untersuchung der Al-dotierten c-BN-Schichten mit Sekundär-Ionen-Massen-Spektroskopie (SIMS) zeigt, daß der Al-Gehalt der BN-Schichten von der Leistung an der Al-Elektrode und der Zusammensetzung des Arbeitsgases im selben Maße abhängt wie das LIF-Signal. FTIR-Messungen ergaben, daß bis zu einem Al-Gehalt von 1.3 at.%, was einer Leistung an der Al-Elektrode von PAl = 80 W entspricht, das Wachstum der kubischen Phase des BN nicht beeinträchtigt wird. Es zeigen sich Hinweise, daß das Aluminium auf Gitterplätzen des Bor eingebaut wird.