Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 28: Diamant, diamant
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DS 28.1: Vortrag
Freitag, 30. März 2001, 12:15–12:30, S 5.1
Wachstum einkristalliner Diamantschichten mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) — •M. Schreck, A. Schury, F. Hörmann, T. Bauer und B. Stritzker — Institut für Physik, Universität Augsburg, 86135 Augsburg
Beim texturierten Wachstum epitaktischer Diamantschichten auf Iridiumpufferschichten gehen Kornvergröberung und Reduzierung der Mosaizität mit einander einher. Mit Minimalwerten für Twist und Tilt von 0,170 bzw. 0,380 gemessen mittels Röntgenbeugung ist die Fehlorientierung dieser Diamantschichten um über eine Größenordnung geringer als für vergleichbare Schichten auf Silizium (ca. 40). Für die Prozesse, die beim texturierten Wachstum eine Rolle spielen, werden in der Literatur verschiedene Mechanismen diskutiert. Im vorliegenden Beitrag wird an Hand einer Computersimulation gezeigt, daß Disklinationsbildung bei den Epitaxieschichten auf Iridium den entscheidenden Beitrag liefert. Transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen der internen Defektstruktur zeigen, daß die anfänglich [110] und [110] orientierten Korngrenzen sich mit zunehmender Schichtdicke auflösen und bei 34 µm Schichtdicke nur noch kurze Defektbänder ausgerichtet entlang [100] bzw. [010] übrig bleiben. Das Fehlen eines geschlossenen Netzwerks an Korngrenzen belegt den übergang der anfangs polykristallinen Schichten in einkristalline Filme durch geeignetes texturiertes Wachstum.