Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
DS: Dünne Schichten
DS 31: Postersitzung
DS 31.11: Poster
Dienstag, 27. März 2001, 16:30–17:30, Foyer Saal 4
Grenzflächendurchmischung in Keramiken durch Hochenergie-Ionenbestrahlung — •B. Schattat1, S. Kraft1, W. Bolse1, S. Klaumünzer2, F. Harbsmeier3, S. Dhar3 und A. Jasenek4 — 1Institut für Strahlenphysik, Universität Stuttgart — 2Ionenstrahllabor, Hahn-Meitner-Institut Berlin — 3II. Physikalisches Institut, Universität Göttingen — 4Institut für physikalische Elektronik, Universität Stuttgart
Die hohe lokale Anregung des Elektronensystems eines Festkörpers beim
Durchgang eines hochenergetischen Ions kann
über Coulombexplosion oder Elektron-Phonon-Kopplung teilweise auf das
Gitter übertragen werden und dort zu atomarem
Transport und damit verbundenen massiven strukturellen Veränderungen
führen. Neben der Ausbildung amorpher Ionenspuren
in Kristallen sollte es daher auch zum Atomtransport hinweg über
Grenzflächen kommen. Da der Effekt in metallischen
Materialien nur sehr klein ist, gab es bislang nur wenig Untersuchungen
zu diesem Phänomen. Wir haben jetzt erstmals die Reaktion
von oxidischen und nitridischen Schichtpaketen auf
Hochenergie-Ionenbestrahlung untersucht und, im Gegensatz zu den
Metallen,
sehr große Durchmischungseffekte gefunden.
In diesem Beitrag soll die Abhängigkeit der Mischrate von den
Bestrahlungsparametern (Ionenenergie, Ionenfluenz,
deponierte Energiedichte) und den Eigenschaften der Schichtmaterialien
(Zusammensetzung, elektrische Eigenschaften, thermische
Eigenschaften, chemische Affinität, ...) diskutiert werden und erste
Ansätze einer modellhaften Beschreibung der Transportprozesse
geliefert werden.