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DS: Dünne Schichten
DS 31: Postersitzung
DS 31.19: Poster
Tuesday, March 27, 2001, 16:30–17:30, Foyer Saal 4
Hochauflösende Röntgenbeugung an Ge-implantierten 4H-SiC — •Bettina Wunderlich1, Günter Heß1, Frank Wunderlich1, Jürgen Kräußlich1, Konrad Goetz1, Christian Schubert2 und Werner Wesch2 — 1Friedrich-Schiller Universität Jena, Institut für Optik und Quantenelektronik, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena — 2Friedrich-Schiller Universität Jena, Institut für Festkörperphysik, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena
Mittels hochauflösender Röntgenbeugung (HRXRD)wurde die Bildung von Ge-Nanokristalliten in einer SiC Matrix untersucht. Hierzu wurden 4H-SiC Substrate bei 970 K mit jeweils 1E16 cm-2 Ge+-Ionen verschiedener Energien implantiert. Die HRXRD-Untersuchungen in der Umgebung der Substratreflexe zeigen das charakteristische Verhalten für eine Schichtstruktur bestehend aus einer nahezu ungestörten Schicht, einer verspannten Implantationsschicht und dem Substrat. Nach dem Anlassen der Proben bei 1870 K beobachten wir in der Nähe des (111)-Braggwinkels von Ge stark verbreiterte Beugungsreflexe die Kristalliten mit einer mittleren Größe von 5 nm entsprechen, deren Gitterkonstante 0.55 nm beträgt. Die Verschiebung des Braggwinkels zeigt an, dass es sich dabei entweder, um stark verspannte Ge-Kristallite bzw. Si/Ge-Mischkristallite handelt. EDX-Messungen ("Energy Dispersive X-ray Analysis") an einzelnen Kristalliten unterstützen diese Aussage.Um den Bildungsprozess dieser Nanokristallite zu untersuchen wurden die implantierten Proben bei verschieden Temperaturen angelassen und mit HRXRD untersucht.