Hamburg 2001 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 31: Postersitzung

DS 31.2: Poster

Tuesday, March 27, 2001, 16:30–17:30, Foyer Saal 4

Untersuchung der Strukturbildung dünner organischer Schichten bei der Abscheidung in HMDSO-haltigen Plasmen einer HF-Entladung. — •Onno Gabriel, Konstantin Li und Jürgen Meichsner — Institut für Physik, Universität Greifswald, Domstr.10A 17487 Greifswald

Die Dynamik der Strukturbildung dünner Schichten wurde in situ bei der Abscheidung in HMDSO- und O₂/HMDSO-Niederdruckplasmen einer asymmetrisch kapazitiv gekoppelten HF-Entladung mittels faserbasierter FTIR ATR-Spektroskopie untersucht. Eine durch den Plasmaraum geführte im mid-IR transparenten Chalcogenid-Glasfaser diente als ATR-Element. Mittels Massen-Spektrometrie wurde nachgewiesen, dass verschiedene Plasmapulsdauern zum unterschiedlichen Fragmentierungsgrad des Monomers und dadurch zu bestimmten Zusammensetzungen der Gasphase im Plasma führen. Der Vergleich der typischen Absorptionsbanden (2960/2860 cm⁻¹ von -CH₃, 1260 cm⁻¹ von SiCH₃, 1070 cm⁻¹ von SiOSi) zeigt, dass der Gehalt vom organischen Anteil bei in reinem HMDSO-Plasma hergestellten Schichten sehr hoch ist. Eine Sauerstoff-Zumischung führt zur Bildung dichter SiO₂-ähnlicher Schichten, was sich auch in den optischen Eigenschaften (Brechungsindex, Extinktionskoeffizient) widerspiegelt. Die ellipsometrischen Messungen wiesen auf eine starke Abnahme der Beschichtungsrate in der axialen Richtung vor allem in der HF-Elektrodennähe hin. Es wurden die Molekularstruktur und Zusammensetzung der Schichten verglichen, die sowohl auf der HF-Elektrode als auch auf der Faser abgeschieden wurden.