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DS: Dünne Schichten

DS 31: Postersitzung

DS 31.21: Poster

Tuesday, March 27, 2001, 16:30–17:30, Foyer Saal 4

Kinetische Untersuchungen zur Plasmaoxidation von Al-Schichten — •Antje Quade und Harm Wulff — Ernst-Moritz-Arndt Universität Greifswald, Institut für Chemie, Soldtmannstr.23, D-17489 Greifswald

Dünne Al-Filme wurden im Mikrowellenplasma (2.45 GHz) verschiedener chemisch reaktiver bzw. nicht-reaktiver Gase oxidiert. Die Charakterisierung des Aluminiums und des gebildeten Oxids erfolgte mit Röntgenreflektometrie (GIXR), Röntgendiffraktometrie im streifenden Einfall (GIXRD), FT-IR sowie XPS. Die quantitative zeitabhängige Bestimmung der Oxidbildung erfolgte über die Abnahme der Integralintensität des Al(111)-Reflexes, da das gebildete Oxid röntgenamorph ist. Zusammen mit der Gesamtdicke der Schicht lassen diese Werte eine Berechnung signifikanter kinetischer Parameter zu. Das Wachstum der Oxidschicht ist eine Kombination aus zwei gleichzeitig ablaufenden Prozessen, einem Diffusions- und einem Sputterprozeß. Der Einfluß von Plasmaart, Konzentration der aktivierten Sauerstoffspezies und der Temperatur auf die Kinetik des Wachstumsprozesses wird diskutiert. Um die Aktivierungsenergie des Diffusionsprozesses anzugeben, wurde die Plasmaoxidation mit unterschiedlichen Substrattemperaturen durchgeführt.