Hamburg 2001 – scientific programme
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DS: Dünne Schichten
DS 31: Postersitzung
DS 31.29: Poster
Tuesday, March 27, 2001, 16:30–17:30, Foyer Saal 4
Ionenstrahlgestütztes, epitaktisches Wachstum dünner Galliumnitridschichten auf r-Ebenen-Saphir: Einfluß der Ionenbestrahlung — •J. W. Gerlach1, S. Sienz1, W. Attenberger2 und B. Rauschenbach1 — 1Institut für Oberflächenmodifizierung, Permoserstraße 15, 04318 Leipzig — 2Universität Augsburg, Institut für Physik, Universitätsstraße 1, 86135 Augsburg
In diesem Beitrag wird gezeigt, wie bei der Ionenstrahlgestützten Deposition von GaN-Schichten auf r-Saphir durch geeignete Parameterwahl das epitaktische Wachstum nachhaltig beeinflußt werden kann. Dazu wurde mittels einer Effusionszelle Gallium verdampft und das auf dem Substrat kondensierende Gallium bei einer konstanten Substrattemperatur von 750 ∘C mit niederenergetischen Stickstoffionen von einer kinetischen Energie im Bereich von 25 bis 200 eV bestrahlt. Das Wachstum von GaN auf der r-Ebene von Saphir ist bisher wenig untersucht, hat aber gegenüber dem auf der c-Ebene einige Vorteile, wie z.B. eine partiell geringere Gitterfehlpassung und Wachstum entlang der nichtpolaren a-Achsenrichtung; nachteilig ist die in der Regel schlechtere kristalline Qualität der erhaltenen Schichten. Die Ergebnisse zeigen, daß abhängig von den Herstellungsparametern Schichtwachstum entlang der a-Achse des GaN provoziert werden kann, ebenso aber auch verzwillingtes verkippt c-achsenorientiertes, sowie ionenstrahlselektiertes Wachstum. Eine besondere Rolle kommt dabei der Ionenenergie zu. Anhand von Röntgen-Polfigurmessungen und elektronenmikroskopischen Aufnahmen wird der Einfluß der Ionenstrahlparameter auf die röntgenographische Struktur und Textur der GaN-Schichten dargestellt und diskutiert.