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DS: Dünne Schichten
DS 31: Postersitzung
DS 31.41: Poster
Tuesday, March 27, 2001, 16:30–17:30, Foyer Saal 4
Surfactant-gesteuerte Präparation von MnSi1.7 auf Si(001) — •S. Teichert, H. Hortenbach und H.-J. Hinneberg — Institut für Physik, TU Chemnitz, 09107 Chemnitz
Mangansilizide mit einer Zusammensetzung nahe MnSi1.7 (HMS = Höhere Mangansilizide) sind halbleitend und besitzen eine tetragonale Kristallstruktur. In diesem Beitrag berichten wir über das Surfactant-gesteuerte Wachstum von MnSi1.7 durch die reaktive Abscheidung von Mn auf Si(001) bei Substrattemperaturen Tsub größer 400∘C unter UHV-Bedingungen. Als Surfactant wurde Sb vor beziehungsweise während der Metallabscheidung eingesetzt. Mittels RBS konnte gezeigt werden, dass sich für beide Varianten des Einsatzes von Sb eine Sättigungsbedeckung von etwa 1 ML Sb (6.74*1014 cm−2) an der Oberfläche einstellt. In weieren Experimenten wurde gezeigt, dass eine vor der Metallabscheidung erfolgte Sb-Bedeckung des Si-Substrates zu einer kontinuierlichen Zunahme der Inseldichte führt. Neben der Änderung der Morphologie wird auch eine Änderung der kristallinen Orientierung des MnSi1.7 durch den Einsatz von Sb beobachtet.