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DS: Dünne Schichten

DS 31: Postersitzung

DS 31.45: Poster

Dienstag, 27. März 2001, 16:30–17:30, Foyer Saal 4

Strukturelle Eigenschaften von epitaktischen Rheniumsilizid-Filmen — •C.A. Kleint, A. Heinrich, D. Hofmann, R. Reiche und J. Schumann — IFW Dresden, Abtlg. 12, Helmholtzstr. 20, D-01069 Dresden

In der vorliegenden Studie werden strukturelle Eigenschaften von ReSi1.75 Schichten für potentielle Anwendungen als niederdimensionale Thermoelektrika für Raumtemperatur vorgestellt. Reflektometrie- und TEM Untersuchungen zeigen, daß konventionelle Festphasen- und Reaktive Epitaxieverfahren zur Herstellung dünner ReSi1.75-Filme ungeeignet sind, da für Schichtdicken im nm-Bereich keine geschlossenen Schichten erreicht werden. Mit der Methode des Facing Target Sputtering konnten dagegen in einem einstufigen Prozeß geschlossene epitaktische Schichten mit niedrigen Rauhigkeiten um 1nm auf Si-Substraten unterschiedlicher Orientierung präpariert werden. Dabei wurden erstmals Wachstumsprozesse auf Si(110) untersucht. Mit der Erniedrigung der Substratsymmetrie konnte die von Si(100) und Si(111) her bekannte Bildung von Rotationszwillingen vermieden werden, die gefundene Epitaxiebeziehung weist allerdings eine vergleichsweise hohe Gitterfehlpassung auf, die durchschnittliche Kristallitgröße liegt bei 60 nm. Erste Experimente zum Wachstum von Si auf ReSi1.75 deuten auf eine Re-Diffusion zur Wachstumsfront und damit Durchmischung beider Schichten für Temperaturen oberhalb 450 C hin.