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DS: Dünne Schichten
DS 31: Postersitzung
DS 31.48: Poster
Tuesday, March 27, 2001, 16:30–17:30, Foyer Saal 4
Ellipsometrie und optische Konstanten von SiOx und SiNx fuer Bragg-Reflektoren — •Bernd Rheinländer1, Dusan Pudis2, Ruediger Schmidt1, Susanne Hardt1, Volker Gottschalch3 und Jurana Kvietkova1 — 1Universitaet Leipzig, Fak. Physik und Geowissenschaften, Abt. Halbleiterphysik, Linnestr. 5, 04103 Leipzig — 2Slovak University of Technology Bratislava, Dept. of Microelectronics — 3Universitaet Leipzig, Fak. Chemie und Mineralogie, AK Halbleiterchemie
Es wurden SiOx- und SiNx-Einzelschichten mit Dicken von 30 bis 180 nm plasmagestuetzt in der Gasphase (PECVD) auf GaAs-, Si- und Glas-Substraten abgeschieden. Mittels spektroskopischer Ellipso- metrie, Reflexions- und Transmissionsspektroskopie im Spektralbe- reich von 0,8 bis 4,3 eV wurden Dicke, Brechungs- und Absorptions- index der Schichten in Abhaengigkeit von Zuechtungsparametern bestimmt. In Abhaengigkeit vom Ammoniak-Anteil am Ammoniak-Silan- Gasgemisch im Bereich von 0 (Silizium) bis 0,737 variiert der Brechungsindex von SiN fuer die Energie E = 0,8 eV zwischen 2,95 und 1,82. Auf dieser Datenbasis wurden SiO/SiN-Bragg-Reflektoren mit maximal 10 Schichtpaaren fuer Stoppbaender in verschiedenen Wellenlaengenbereichen von 400 bis 1600 nm hergestellt und deren Reflexionsvermoegen ermittelt.