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DS: Dünne Schichten
DS 31: Postersitzung
DS 31.5: Poster
Tuesday, March 27, 2001, 16:30–17:30, Foyer Saal 4
Hohlraumbildung im Si/SiC/Si Schichtsystem nach Wasserstoffimplantation — •W. Attenberger, J.K.N. Lindner und B. Stritzker — Universität Augsburg, Institut für Physik, 86135 Augsburg
Vergrabene, einkristalline 3C-SiC Schichten können in Si durch Ionenstrahlsynthese hergestellt werden. Dabei wird Kohlenstoff mit einer Dosis von 8.5 · 1017 cm−1 in einen Silizium-Wafer bei einer Targettemperatur von 500 ∘C implantiert. Durch eine Temperbehandlung für 10 Stunden bei 1250 ∘C in Ar bildet sich eine kastenförmige Kohlenstoffverteilung etwa 300 nm unter der Oberfläche des Wafers, entsprechend einer homogenen vergrabenen SiC-Schicht. Im Rahmen dieser Arbeit wird H+ in die vordere Grenzfläche des Si/SiC/Si Schichtsystems implantiert. Die Dosis wird zwischen 1 · 10 16 cm−1 und 1.5 · 10 17 cm−1 variiert, die Targettemperaturen zwischen 0 ∘C und 500∘C.
Die dabei entstehende Schicht aus Bläschen, Defekten und amorphen Bereichen rekristallisiert in einem Temperschritt, zwischen 400 ∘C und 1000 ∘C, teilweise und die Bläschen wachsen zu Hohlräumen zusammen.
Mittels Hochauflösungs XTEM, EFTEM (Energy Filtered TEM), SEM und optischer Mikroskopie wird die Entwicklung des Schichtsystems bei unterschiedlichen Implantationstemperaturen, Dosen und Temperschritten charakterisiert. Es wird der Frage nachgegangen, ob sich dieses Verfahren zur Freilegung der vergrabenen SiC-Schichten auf der Oberfläche des Si-Wafers eignet.