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DS: Dünne Schichten

DS 31: Postersitzung

DS 31.50: Poster

Dienstag, 27. März 2001, 16:30–17:30, Foyer Saal 4

Struktur und chemische Zusammensetzung von PE-MOCVD Einzel- und Multischichten — •Andreas Aschentrup¹, Frank Hamelmann¹, Michael Sundermann¹, Kersten Dettmar², Ulf Kleineberg¹, Peter Jutzi² und Ulrich Heinzmann¹ — ¹Universität Bielefeld, Fakultät für Physik, Universitätsstr. 25, 33615 Bielefeld — ²Universität Bielefeld, Fakultät für Chemie, Universitätsstr. 25, 33615 Bielefeld

Zur Abscheidung dünner (<10 nm), amorpher Si, SiO₂ und Mo Schichten sowie Mo/Si-Multischichten mittels Plasma Enhanced CVD kamen die Precursoren Cp^∗Si₂H₅, TEOS (Tetraethylorthosilikat), Mo(CO)₆ und MoCl₅ zum Einsatz. Die Zerlegung bei Probentemperaturen unter 250^∘C erfolgt im Remote Plasma unter Verwendung verschiedener Plasmagase (H₂, O₂, N₂, Ar) und -leistungen. Während der Schichtherstellung kann der Wachstumsprozess mit Hilfe der in-situ Röntgenreflektivitätsmessung kontrolliert und gesteuert werden. Die so hergestellten Schichten und Schichtsysteme werden hinsichtlich ihrer Struktur und chemischen Zusammensetzung mit Röntgenreflektivitätsmessungen, Sputter-Augerelektronenspektroskopie und hochauflösender Querschnitts-Transmissionselektronenmikroskopie charakterisiert. Ziel ist die Optimierung des Herstellungsverfahrens im Hinblick auf sehr glatte Grenzflächen (σ_RMS < 0,5 nm) und die Minimierung von Schichtkontaminationen, wie sie z. B. durch den Einbau von Kohlenstoffverbindungen aus Precursorfragmenten erzeugt werden.