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DS: Dünne Schichten

DS 7: Schichtwachstum I

DS 7.4: Talk

Monday, March 26, 2001, 16:00–16:15, S 13/14

Relaxationsmechanismen in He-implantierten Si_1−xGe_x Pufferschichten — •D. Kirch¹, M. Luysberg¹, K. Urban¹, H. Trinkaus¹, B. Holländer², St. Lenk², S. Mantl², H.-J. Herzog³, T. Hackbart³ und P.F.P. Fichtner⁴ — ¹Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich — ²Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich — ³Daimler-Chrysler AG, Research and Technology, D-89081 Ulm — ⁴Dept. de Metalurgia, Univ. Fed. Do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, Brazil

Spannungsrelaxierte Si-Ge Pufferschichten auf Si Substraten haben eine grose Bedeutung als virtuelles Substrat für Heterostruktur Bauelemente. Die Relaxation der Si_1−xGe_x Schichten, also die Bildung von Fehlpassungsversetzungen, ist von der Entstehung unerwünschter Fadenversetzungen begleitet. In unserem Beitrag untersuchen wir den Einflus von He-Implantation und anschliesender Temperung auf das Relaxationsverhalten und die Fadenversetzungsdichte in Si_1−xGe_x Schichten (x=0.3…0.45). Zur strukturellen Charakterisierung wurden Transmissionselektronenmikroskopie, Röntgenbeugung und Rutherford Backscattering eingesetzt. Es zeigt sich, das He Blasen, die nach Implantation und Temperung gebildet werden, effiziente Versetzungsquellen sein können. Zudem konnten wir die Fadenversetzungsdichte bei geeigneter Parameterwahl (Ionenenenergie, Temperzeit und -temperatur) signifikant erniedrigen.