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DS: Dünne Schichten
DS 7: Schichtwachstum I
DS 7.5: Vortrag
Montag, 26. März 2001, 16:15–16:30, S 13/14
Kritische Bedeckung für die Verspannungs-induzierte Bildung von InAs-Quantenpunkten — •Christian Heyn — Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11, 20355 Hamburg
Die kritische Bedeckung θC für die Bildung von InAs oder InGaAs Quantenpunkten auf GaAs bei Variation der Wachstumsparameter Fluss F, Gitterfehlpassung δ (gegeben durch den Ga-Anteil) und Temperatur T wurde mit in situ RHEED untersucht. Die experimentellen Daten wurden mit Ergebnissen eines kinetischen Wachstumsmodells basierend auf gekoppelten Ratengleichungen korreliert. Das Modell erlaubt unter anderem die Berechnung der Grössenverteilung und Höhe der Quantenpunkte sowie die Bestimmung von θC. Wir finden gute Übereinstimmung für den Einfluss von F und δ, während die T-Abhängigkeit von dem Model qualitativ falsch wiedergegeben wird. Als Ursache für die Diskrepanz vermuten wir eine temperaturabhängige Durchmischung zwischen In and Ga, die im Modell nicht berücksichtigt wird, für die aber starke experimentelle Indizien existieren [1]. Nach Berücksichtigung der Durchmischung in den Rechnungen ist eine Bestimmung des temperaturabhängigen Ga-Anteils in den InGaAs-Quantenpunkten möglich. Die Rechnungen zeigen weiterhin, dass der Durchmesser der Quantenpunkte während ihrer Bildung wieder abnimmt und dass ihre Form während des Wachstums nicht im Gleichgewicht ist. Diese Ergebnisse werden kommentiert.
[1] P. B. Joyce, T. J. Krzyzewski, G. R. Bell, B. A. Joyce, and T. S. Jones, Phys. Rev. B 58, R15981 (1998).