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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Grenz- und Oberfl
ächen

HL 10.1: Talk

Monday, March 26, 2001, 15:30–15:45, S16

Untersuchungen vergrabener SiO₂/Si- und SiO₂/SiC-Grenzschichten mit hochenergetischer Photoemission — •Thorsten Eickhoff¹, Wolfgang Drube² und Gerhard Materlik² — ¹II. Inst f. Exp. Phys. Universität Hamburg, Luruper Chaussee 149, 22761 Hamburg, Germany — ²HASYLAB / DESY, Notkestraße 85, 22603 Hamburg, Germany

Photoemissionsmessungen mit UV–Strahlung oder Röntgenstrahlung (UPS bzw. XPS) sind etablierte Methoden zur elektronischen und chemischen Charakterisierung von Oberflächen und oberflächennahen Schichten. So ist die anfängliche Oxidation von Si eingehend mit UPS und XPS studiert worden. Wegen der geringen Ausdringtiefe der Elektronen aus dem Festkörper erfordert die Untersuchung tiefer vergrabener Schichten höhere kinetische Energien als mit den üblichen Laborquellen erreicht wird. Dieses wird realisiert unter Verwendung von Synchrotronstrahlung mit Anregungsenergien von ca. 3000–5000 eV. Die Informationstiefe wird so auf mehr als 10 nm (SiO₂) ausgedehnt. Durch Variation des Austrittswinkels der Elektronen oder des Auftreffwinkels der Synchrotronstrahlung im Bereich externer Totalreflexion ist es möglich, über einen ausgedehnten Tiefenbereich chemische Information tiefenabhängig zu gewinnen.

Anhand der Grenzschichtsysteme SiO₂/Si und SiO₂/SiC werden die Möglichkeiten der hochenergetischen Photoemission, durchgeführt am BW2 des HASYLAB, aufgezeigt und auf diese technologisch relevanten Beispiele angewendet.