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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Grenz- und Oberfl
ächen

HL 10.2: Talk

Monday, March 26, 2001, 15:45–16:00, S16

DLTS-Untersuchung der Grenzflächenzustände an UHV-gebondeten (100)-Si Wafern — •Alexander Reznicek¹, Stephan Senz¹, Otwin Breitenstein¹, Ulrich Gösele¹ und Rainer Pickenhain² — ¹Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik, Halle/Saale — ²Fachbereich Physik, Universität Leipzig

Ein p-n-Übergang wurde durch UHV-Bonden eines n-Wafers auf einen p-Wafer bei Raumtemperatur hergestellt. Die Wafer wurden im Reinraum naßchemisch gereinigt und die Oxidschicht durch Flußsäure entfernt. Dabei wird die Si-Oberfläche durch Wasserstoff terminiert. Die Wafer wurden im Reinraum hydrophob gebondet, wobei sie durch Van-der-Vaals Kräfte schwach aneinander haften. Im Ultrahochvakuum wurden die Wafer wieder getrennt, der Wasserstoff thermisch desorbiert und die Wafer erneut gebondet. Die C-V-Kennlinie deutet darauf hin, daß die Diffusionsspannung größer als die Bandlückenenergie von Si ist. Dies weist darauf hin, daß an der Grenzfläche zusätzliche Bandverbiegungen existieren. Durch DLTS-Untersuchungen im Temperaturbereich zwischen 4 und 340 K finden wir zwei donatorartige „Tiefe Störstellen“ mit Aktivierungsenergien von 400 und 480 meV. Über tiefenabhängige DLTS-Untersuchungen werden zusätzliche donatorartige Störstellenniveaus bei Eintritt des Injektionsfalles gefunden.