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HL: Halbleiterphysik
HL 11: Kohlenstoff / Diamant
HL 11.6: Talk
Monday, March 26, 2001, 16:45–17:00, S17
Transporteigenschaften p-leitender Diamantoberflächen — •Christof Sauerer, Christoph E. Nebel und Martin Stutzmann — Am Coulombwall 85748 Garching
Die elektronischen Eigenschaften von Diamant können stark verändert werden, indem man eine Wasserstoff-Terminierung der Diamantoberfläche erzeugt. Die Ursachen für die daraus resultierende p-artige Leitfähigkeit (10−8 Ω −1 bis 10−4 Ω −1) der Oberfläche sind dabei noch nicht vollständig verstanden. Ebenso ist die Dicke der leitfähigen Schicht unbekannt. Es wurden Leitfähigkeits- sowie Hall-Messungen an verschiedenen Proben (sowohl mono- als auch polykristallinen Diamanten) im Temperaturbereich von 0,36 K bis 450 K in Feldern bis zu 14 Tesla durchgeführt. Dabei wurde an einer polykristallinen Probe auch bei 0,36 K noch eine Leitfähigkeit von 5x10−6 Ω −1 gemessen, mit einer Beweglichkeit von 4 cm2/Vs und einer Ladungsträgerdichte von 8x1011 cm−2.