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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Quantenpunkte und -dr
ähte: Transporteigenschaften I

HL 12.8: Talk

Monday, March 26, 2001, 17:15–17:30, S9/10

Leitwertquantisierung in einem Netz von Quantenpunktkontakten — •S. de Haan¹, A. Lorke², J.P. Kotthaus¹, W. Wegscheider³ und M. Bichler⁴ — ¹Sektion Physik und Center for NanoScience, LMU München, Geschw.-Scholl-Pl. 1, D-80539 München — ²Laboratorium für Festkörperphysik, Gerhard-Mercator-Universität, Lotharstr. 1-21, ME 245, D-47048 Duisburg — ³Institut für Angewandte und Experimentelle Physik, Universität Regensburg, D-93040 Regensburg — ⁴Walter Schottky Inst., TU München, Am Coulombwall, D-85748 München

Mittels Elektronenstrahllithographie und naßchemischem Ätzen wurde im zweidimensionalen Elektronensystem einer GaAs/AlGaAs-Heterostruktur ein laterales Übergitter aus 55 × 96 Quantenpunktkontakten realisiert.

Variiert man die Elektronendichte mit Hilfe eines die gesamte Struktur überdeckenden metallischen Gates, so zeigen sich – ähnlich dem Verhalten einzelner oder doppelter Quantenpunktkontakte – bei ausreichend niedrigen Temperaturen (250mK) äquidistante Stufen im Leitwert des Netzes. Das System kann daher unabhängig von der aktuellen Probengeometrie als Material mit quantisiertem Leitwert betrachtet werden. Der Abstand benachbarter Leitwertstufen ist dabei kein ganzzahliges Vielfaches von 2e²/h, sondern beträgt überraschenderweise nur etwa ein Drittel dieses fundamentalen Werts. Verschiedene Ansätze, wie z.B. Rückstreuung von den Rändern der sich zwischen jeweils vier Quantenpunktkontakten ausbildenden gekoppelten Quantenpunkte, werden zur Erklärung dieser Beobachtung diskutiert.