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HL: Halbleiterphysik
HL 13: II-VI Halbleiter I
HL 13.1: Talk
Monday, March 26, 2001, 15:30–15:45, S6
Strukturuntersuchungen zur Te Adsorption auf Ge(001) — •W. Weigand1, F. Reuss2, M. Sokolowski3, A. Waag4, L. Molenkamp2 und E. Umbach1 — 1Experimentelle Physik II, Universität Würzburg — 2Experimentelle Physik III, Universität Würzburg — 3Institut für Phys. und Theoret. Chemie, Universität Bonn — 4Experimentelle Physik Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm
Für das Wachstum von II-VI-Verbundhalbleitern auf Elementhalbleiteroberflächen wie Ge(001) und Si(001) ist die Vorbereitung der Startoberfläche mittels Te-Passivierung von besonderem Interesse. Aus diesem Grund wird die bei verschiedenen Substrattemperaturen Te-terminierte Ge(001) Oberfläche mit hochauflösenden LEED (SPALEED) untersucht.
Vor allem wird geklärt, welches der beiden Oberflächendefektmodelle (missing-row [1] oder zick-zack [2] Modell) bestimmend für die Relaxation der Te-terminierten Ge(001) Oberfläche ist. Ausgehend von dieser Oberfläche diskutieren wir anhand energieabhängiger Profilformen die Entwicklung der Oberflächenmorphologie beim Desorbieren der Te Monolage von der Ge(001) Oberfläche. Desweiteren stellen wir eine spontane Destabilisierung der Ge(001) Oberfläche vor. Diese konnten wir während der Te-Terminierung bei 325∘C Substrattemperatur mit RHEED beobachten. Die entstehende Facette wurde mittels SPALEED als Ge(113) Oberfläche identifiziert. (gefördert durch SFB 410, TP B1)
[1] P.F. Lyman et al., Phys. Rev. B 60, 8704, (1999)
[2] N. Takeuchi, Surf. Sci 426, L433, (1999)