Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
HL: Halbleiterphysik
HL 16: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften I
HL 16.11: Talk
Tuesday, March 27, 2001, 13:00–13:15, S2
Optische Eigenschaften der Benetzungsschicht in gestapelten InAs/GaAs Quantenpunktstrukturen — •R. Goldhahn1, A. Winzer1, G. Gobsch1, H. Heidemeyer2, O.G. Schmidt2 und K. Eberl2 — 1TU Ilmenau, I. f. Physik, PF 100565, 98684 Ilmenau — 2MPI f. Fetskoerperforschung, Solid State Research Molecular Beam Epitaxy
Aus Photolumineszenzuntersuchungen (PL) an gestapelten InAs/GaAs Quantenpunktstrukturen (QD) ist bekannt, daß unter bestimmten Wachstumsbedingungen verspannungsinduzierte InGaAs Legierungsbildung in den oberen QD-Schichten auftritt. In diesem Beitrag wird erstmals nachgewiesen, daß sich auch die energetische Lage der Absorptionskante der entsprechenden Benetzungsschichten (WL’s) innerhalb einer Probe verschiebt. Die Bestimmung der Übergangsenergien erfolgt über Elektro- und Photoreflexionsmessungen sowie PL-Anregungsspektroskopie. Die Kombination mit schrittweiser, definierter Schichtabtragung (anodische Oxidation) ermöglicht die eindeutige Zuordnung der einzelnen WL Beiträge zum Gesamtspektrum. Für die WL’s finden wir im Rahmen der Nachweisgenauigkeit keine Abhängigkeit der Übergangsenergien von der Deckschichtdicke, obwohl sich die QD-Lumineszenz mit abnehmender Deckschichtdicke zu geringeren Energien verschiebt (Entspannungseffekt). Daraus folgern wir, daß auch die WL’s in derartigen Proben durch Legierungsbildung während des Wachstums beeinflußt werden. Die Abhängigkeit des Effektes vom vertikalen Abstand der WL-Schichten wird diskutiert.