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HL: Halbleiterphysik

HL 16: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften I

HL 16.13: Talk

Tuesday, March 27, 2001, 13:30–13:45, S2

1.3 µm - InAs/GaInAs-Quantenpunktlaser mit anwendungsrelevantenBauteildimensionen und -eigenschaften — •Roland Krebs, Frank Klopf, Johann Peter Reithmaier und Alfred Forchel — Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Deutschland

Für den Einsatz in lokalen Netzwerken bis etwa 10 km sind im Wellenlängenbereich um 1.3 µm emittierende Halbleiterlaser besonders interessant, da hier die Dispersion in Glasfasern verschwindet, wobei die exakte Wellenlänge vom verwendeten Fasermaterial abhängt. Zur Realisierung von Halbleiterlasern im genannten Wellenlängenbereich wurden auf der Basis einer Laserstruktur mit verbreitertem Wellenleiter (LOC) Laserdioden mit aktiven Zonen mit drei, vier und sechs Schichten aus in GaInAs-Quantenfilme eingebetteten InAs-Quantenpunkten per Molekularstrahlepitaxie hergestellt. Aus längenabhängigen Messungen an den Laserdioden ergaben sich sehr niedrige Transparenzstromdichten um 40 A/cm² und Werte für die interne Absorption um 2 1/cm. Trotz der beschränkten modalen Verstärkung lassen sich daher mit Spiegelvergütungen für Anwendungen relevante Bauteildimensionen realisieren. Für einen 400 µm langen Stegwellenleiter-Laser mit Spiegelvergütung wurde im Dauerstrichbetrieb ein Schwellenstrom von 6 mA und eine externe differentielle Quanteneffizienz von 0.23 W/A gemessen. Im Dauerstrichbetrieb konnte bis 90^∘C Lasertätigkeit auf dem Grundzustand beobachtet werden.