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HL: Halbleiterphysik

HL 16: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften I

HL 16.6: Talk

Tuesday, March 27, 2001, 11:45–12:00, S2

Verstärkungs-Messungen an CdSe-Quantenpunktstrukturen — •K. Sebald, P. Michler, J. Gutowski, T. Passow, M. Klude und D. Hommel — Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Postfach 330440, D-28334 Bremen, Germany

Quantenpunktstrukturen (QD) basierend auf II-VI-Komponenten sind ein viel versprechendes aktives Material für Laserdioden im grünen und blau-grünen Spektralbereich. In diesem Zusammenhang hat sich besonders das Interesse für CdSe/ZnSe-Quantenpunkte gesteigert, die durch selbst organisiertes Wachstum realisiert werden können. Von CdSe-Quantenpunkten als aktive Region in Laserdioden erwartet man eine Verbesserung der Laserschwelldichte und der Lebensdauer des Bauelementes.
Die untersuchten Quantenpunktstrukturen wurden auf GaAs Substrat durch Molekularstrahl-Epitaxie gewachsen. Fünf CdSe Quantenpunktlagen, getrennt durch 3.5 nm dicke ZnSSe-Schichten, sind in einem 100 nm breiten ZnSSe-Wellenleiter eingebettet. Die (Zn,Mg)(S,Se)-Mantelschichten der untersuchten Strukturen sind entweder undotiert, oder dotiert.
In diesem Beitrag werden Verstärkungs-Messungen, mit Hilfe der Variablen-Strichlängen-Methode an den dotierten und undotierten Quantenpunktstrukturen vorgestellt sowie grundlegende spektroskopische Messungen, wie temperaturabhängige Photolumineszenz, gezeigt, die Aufschluß über die Qualität der Probenstrukturen und die Effizienz des Laserprozesses liefern.