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HL: Halbleiterphysik

HL 17: Photovoltaik I

HL 17.12: Talk

Tuesday, March 27, 2001, 13:15–13:30, S17

Laserkristallisierung von amorphem Silizium (a-Si:H) auf Metallschichten — •Karsten Brendel, Philipp Lengsfeld, Andreas Schöpke und Norbert H. Nickel — Hahn-Meitner-Institut Berlin, Kekulestr. 5, 12489 Berlin

Ein möglicher Weg zu einer Silizium Dünnschichtsolarzelle ist die epitaktische Verdickung einer laserkristallisierten poly-Si Keimschicht. Eine Metallschicht kann sowohl als Rückkontakt als auch als Reflektor dienen. Dazu haben wir den Einfluß von Metallen auf den Kristallisierungsprozess und die elektrischen und optischen Eigenschaften der poly-Si Schichten untersucht. Auf ein mit Aluminium oder Molybdän bedampftes Glassubstrat wurde mittels PECVD a-Si:H abgeschieden und anschließend mit einem XeCl-Excimerlaser sukzessive kristallisiert. Mikroskopische Messungen zeigen, daß es im Falle von Aluminium zu einer Vermischung mit der polykristallinen Schicht kommt. Bei Molybdän wird dieser Effekt nicht beobachtet. Dies wird mit Auger-Elektronen-Spektroskopie bestätigt. Ramanmessungen deuten darauf hin, daß Kristallisierungsprozeß von der Schichtdicke des Metalls beeinflußt wird. Der Einfluß der Metalle auf die Schwellenergiedichte der Aufschmelzung der a-Si:H-Schicht sowie Korngröße und Vorzugsorientierung werden diskutiert.