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HL: Halbleiterphysik

HL 20: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung

HL 20.7: Talk

Tuesday, March 27, 2001, 17:00–17:15, S16

Transportspektroskopie an AFM-strukturierten parallelen Doppelquantenpunkten — •U. F. Keyser¹, M. Paesler¹, S. Borck¹, R. J. Haug¹ und K. Eberl² — ¹Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover — ²Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Stuttgart

Durch direkte Strukturierung mit einem Rasterkraftmikroskop (AFM) können Quantenpunkte in GaAs/AlGaAs-Heterostrukturen erzeugt werden. Diese direkte Nanostrukturierung erlaubt durch die Kombination von hochohmigen Gates (R > 50   GΩ) (1) und einstellbaren Tunnelbarrieren (2) das schrittweise Design von elektronischen Bauteilen. Zuerst wurde eine Doppelbarrierenstruktur hergestellt, die in einem 2,5 µm breiten Kanal begrenzt durch In-Plane-Gates liegt. Durch nachträgliches Zerschneiden entstehen zwei gekoppelte Quantenpunkte, die parallel im Kanal liegen. Die Quantenpunkte können durch je eines der In-Plane-Gates gesteuert werden. Wir präsentieren Transportmessungen an beiden beschriebenen Systemen (vor und nach der zweiten Strukturierung) bei T = 350 mK in Abhängigkeit der verschiedenen Gate-Spannungen.

(1) H. W. Schumacher et al., APL 75, 1107 (1999).
(2) U. F. Keyser et al., APL 76, 457 (2000).