Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 22: SiC
HL 22.10: Vortrag
Dienstag, 27. März 2001, 17:45–18:00, S17
Beryllium in 4H-SiC: Identifikation einer tiefen Störstelle mittels Radiotracer-DLTS — •F. Albrecht1, N. Achtziger2, J. Grillenberger1 und W. Witthuhn1 — 1Institut für Festkörperphysik, Universität Jena, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena — 2Fraunhofer Institut für Integrierte Schaltungen IIS-A, Am Weichselgarten 3, 91058 Erlangen
Während einerseits in Be-dotiertem SiC zwei Akzeptor-Zustände gefunden wurden, existieren auch Hinweise [1], dass Be in p-SiC kompensierend wirkt. Kürzlich durchgeführte DLTS-Experimente an mit stabilem Be implantierten 4H-SiC [2] zeigen mehrere Niveaus, deren Zuordnung zu Be jedoch noch teilweise unklar ist. Zur Untersuchung der elektronischen Eigenschaften von Be in SiC wurde das radioaktive Isotop 7Be mittels Rückstossimplantation sowohl in n- als auch p-dotiertes 4H-SiC implantiert und die so präparierten Proben mit der Radiotracer-DLTS untersucht. In p-dotiertem 4H-SiC bewirkt die Elementumwandlung des 7Be zu 7Li aufeinanderfolgend (T1/2 = 53.3 d) gemessenen DLTS-Spektren eine exponentielle Abnahme der Konzentration einer Störstelle. Dies liefert eine eindeutige Zuordnung dieser Störstelle (ET = EV + 1.06(1) eV, σ = 5 × 10−14 cm2) zu einem Be-korrelierten Defekt. In n-4HSiC sind im untersuchten Bereich der Bandlücke im Rahmen der Messgenauigkeit keine zeitabhängigen Veränderungen beobachtbar.
[1] Yu. P. Maslakovets et al., Sov. Phys. Solid State 10 (1968), 634; Yu. A. Vodakov et al., ibid. 20 (1978), 258
[2] M. Krieger et al., contribution to the ECSCRM 2000, Kloster Banz, Germany