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HL: Halbleiterphysik
HL 22: SiC
HL 22.11: Talk
Tuesday, March 27, 2001, 18:00–18:15, S17
Charakterisierung von Oxid/Halbleiter Grenzflächen an 6H- und 3C-SiC MOS-Strukturen — •Georg Steinhoff1, Martin Eickhoff1 und Gerhard Wachutka2 — 1Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall 3, D-85748 Garching — 2Lehrstuhl für Technische Elektrophysik, Technische Universität München, Arcisstr. 21, 80290 München
Die elektrischen Eigenschaften der SiC/SiO2-Grenzflächen von 6H- und 3C-SiC werden für thermische Oxide und PECVD-Oxide durch temperaturabhängige CV-Messungen an MOS-Strukturen untersucht. Durch Messungen mit der HFQS-Methode wird der Einfluß verschiedener Prozeßparameter der Herstellung von Oxiden auf 6H-SiC auf deren elektrische Eigenschaften analysiert. Dabei werden durch Messungen bis zu 500K auch tiefe Grenzflächenzustände erfaßt. Mit Hilfe temperaturabhängiger IV-Messungen werden weiterhin die dominanten Leckstrommechanismen thermischer Feuchtoxide identifiziert. Durch Vergleich der MOS-Charakteristiken thermischer Oxide auf 3C-SiC mit den Ergebnissen struktureller Analysen wurde erstmals eine systematische Analyse des Zusammenhangs von elektrischen und strukturellen Defekten durchgeführt.