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HL: Halbleiterphysik
HL 22: SiC
HL 22.4: Talk
Tuesday, March 27, 2001, 16:15–16:30, S17
Antiresonanz im UV-Ramanspektrum von 6H-Siliziumkarbid — •R. Püsche, S. Rohmfeld, M. Hundhausen und L. Ley — Institut für Technische Physik, Universität Erlangen-Nürnberg, Erwin-Rommel-Str. 1, D91058 Erlangen
Wir führten Ramanmessungen an 6H-SiC in Rückstreugeometrie mit Anregungsenergien zwischen 3.5eV und 5eV durch. Die Intensitäten der Phononenlinien hängen stark von der verwendeten Anregungswellenlänge ab. Die gefalteten longitudinal optischen Moden (FLO4/6±) zeigen eine resonante Erhöhung des Streuquerschnittes bei Eexc=4.28eV. Dagegen verschwindet die ungefaltete longitudinal optische Mode (FLO0) bei einer Anregungsenergie von 4.4eV vollständig. Diese Effekte werden im Rahmen des Raman-Bindungspolarisierbarkeitsmodells diskutiert. Das Modell beschreibt die Streuintensität einer Phononenmode durch die Änderung der mit dieser Mode verbundenen Polarisierbarkeiten der Bindungen zwischen Si und C. Zur Berechnung der Streuintensitäten wurden die Atomauslenkungen für die verschiedenen Phononenmo den in einem linearen Kettenmodell berechnet und damit die Raman-Bindungspolarisierbarkeiten bestimmt. Eine verschwindende Streuintensität kann im Rahmen des Modells als destruktive Interferenz der Polarisierbarkeiten verschiedener Bindungsgruppen im Festkörper erklärt werden.