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HL: Halbleiterphysik
HL 22: SiC
HL 22.5: Talk
Tuesday, March 27, 2001, 16:30–16:45, S17
DLTS- und Positronenannihilations-Untersuchungen an mit 2 MeV-Elektronen bestrahltem 4H/6H-SiC — •Michael Weidner1, Thomas Frank1, Gerhard Pensl1, Atsuo Kawasuso*2, Hisayoshi Itoh2, Frank Redmann3 und Reinhard Krause-Rehberg3 — 1Lehrstuhl für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg — 2Japan Atomic Energy Research Institute, Takasaki, Japan — 3Fachbereich Physik, Universität Halle-Wittenberg
Durch Bestrahlung mit hochenergetischen Elektronen (2 MeV) wurden bei
Raumtemperatur Eigendefekte in n-Typ 4H-SiC und 6H-SiC Epitaxieschichten
erzeugt. Das Ausheilverhalten dieser Defekte wurde mittels DLTS und
Positronenannihilation nach isochronalen Ausheilschritten (30min bei
430∘ - 1700∘C) systematisch untersucht.
In DLTS-Spektren von e−-bestrahltem 4H-SiC dominiert nach Ausheilung bei
TA=430∘C das Z1/Z2-Zentrum. Erst ab TA>1200∘C
wird eine Abnahme der Z1/Z2-Konzentration beobachtet. Im Falle des
e−-bestrahlten 6H-SiC steigt die Konzentration des dominierenden
E1/E2-Zentrums bis zu Ausheiltemperaturen TA>1000∘C an und
sinkt danach bis TA=1400∘C unter die Nachweisgrenze.
An identisch behandelten 4H-/6H-SiC Epitaxieschichten wurden jeweils nach
den Temperschritten Untersuchungen mittels Positronenannihilation
durchgeführt. Zwischen der Temperaturabhängigkeit des S-Parameters und
der Temperaturabhängigkeit der mittels DLTS bestimmten
Defektkonzentration wurden eindeutige Korrelationen festgestellt. Die
Struktur der beobachteten Eigendefekte wird diskutiert.
* derzeit Humboldt-Stipendiat an der
Universität Halle-Wittenberg