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HL: Halbleiterphysik

HL 22: SiC

HL 22.7: Talk

Tuesday, March 27, 2001, 17:00–17:15, S17

MBE von SiC-Quantenfilmstrukturen — •Andreas Fissel¹, Ute Kaiser¹, Jürgen Kräußlich², Bernd Schröter¹, Hartmut Hobert³, Wolfgang Richter¹ und Friedhelm Bechstedt⁴ — ¹Institut für Festkörperphysik,Max-Wien-Platz 1 — ²Institut für Optik und Quantenelektronik, Max-Wien-Platz 1 — ³Institut für Physikalische Chemie, Lessingstraße 10 — ⁴Institut Für Festkörpertheorie unf Theoretische Optik, Fröbelstieg 1, Friedrich-Schiller-Universität Jena, D-07743 Jena

Halbleiter-Heterostrukturen mit dem kubischen 3C und hexagonalen 4H oder 6H Kristall-Strukturtyp des SiC wurden mittels Feststoffquellen-MBE definiert gewachsen. Auf nicht gestuften SiC(0001)Substraten wurden 4H/3C/4H-SiC(0001) und 6H/3C/6H/3C/6H-SiC(0001) Strukturen durch einen definierten Wechsel der Wachstumsbedingungen realisiert: 3C-SiC bei T=1550 K und Si-reichem Si/C-Verhältnis; hexagonale 4H- und 6H-Struktur bei T=1600 K und C-reicherem Si/C-Verhältnis. Durch selektive Keimbildung von 3C-SiC auf breiteren Terrassen von 3^∘ verkippten Substraten und einem nachfolgendem Wachstum durch Stufenfluß wurden Heterostrukturen von 3C/4H-SiC mit mehr als 20 Perioden gewachsen. Die 3C-SiC Schichtdicke in diesem Verfahren ist im wesentlichen bestimmt durch die Stufenhöhen des Substrates und betrug etwa zwei Elementarzellen des 4H-SiC Strukturtyps (2 nm). Ergebnisse aus Untersuchungen mittels Photolumineszenz und theoretische Berechnungen zur Bandstruktur dieser Strukturen zeigten eine gute Übereinstimmung bezüglich der Dicke der 3C-SiC Schichten und deuten auf Quantisierungseigenschaften hin.