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HL: Halbleiterphysik

HL 22: SiC

HL 22.8: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 17:15–17:30, S17

Gitterplatzbestimmung von Lithium in Siliciumcarbid — •Stefano Virdis¹, Ulrich Vetter¹, Helge Kroeger¹, Carsten Ronning¹, Hans Hofsaess¹ und Marc Dietrich² — ¹II Physikalisches Institut, Gergia Augusta Universitaet, Bunsenstrasse 7-9, 37073 Goettingen — ²CERN,Genf, die Schweiz

Das Interesse an Lithium fuer die Herstellung von HL-Bauelementen wie p-i-n-Dioden beruht auf seiner Eigenschaft, Kristalldefekte aus Verunreinungen elektrisch zu kompensieren (Passivation). Im Gegensatz zu Halbleitern wie Si, Diamant und zahlreichen III-V und II-VI Verbindungshalbleitern ist das Verhalten von Lithium in Siliciumcarbid bisher kaum untersucht worden [1]. In dieser Arbeit wurde der Gitterplatz von Li in SiC bestimmt und dessen Diffusionsverhalten untersucht. Dazu wurde radioaktives Li8 an ISOLDE (CERN) in 6H-, 4H- und 3C-SiC implantiert und die Gitterfuehrungseffekte der emittierten alpha-Teilchen fuer Implantationstemperaturen zwischen 100 K und 900 K untersucht. Die Ergebnisse der Emission-Channeling Messungen mit Li8 wurden mit Montecarlo-Simulationen verglichen.

[1] Goncharov et al., Soviet Solid States Physics , 27, 2098 (1985)