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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.10: Poster

Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Nachweis von implantationsinduzierter Defektgeneration in GaN durch tiefenaufgelöste Störstellenspektroskopie — •Andre Krtschil¹, Andy Kielburg¹, Hartmut Witte¹, Jürgen Christen¹, Alois Krost¹, Axel Wenzel² und Bernd Rauschenbach³ — ¹Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, 39016 Magdeburg — ²Institut für Physik, Universität Augsburg, 86135 Augsburg — ³Institut für Oberflächenmodifizierung Leipzig und Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, 04318 Leipzig

Am Beispiel von MBE-gewachsenen GaN-Schichten auf Saphirsubstrat wird gezeigt, wie sich der Störstellenhaushalt durch die Implantation von Schwefel- und Wasserstoff-Ionen tiefenabhängig verändert. Die dabei generierten Defekte wurden mit Hilfe von DLTS, ODLTS und Admittanzspektroskopie innerhalb einer Schottky-Raumladungszone charakterisiert. Nach der Implantation konnten verschiedene Störstellen mit thermischen Aktivierungsenergien zwischen 260 meV und 1.12 eV nachgewiesen werden, deren Arrheniusplots gute Übereinstimmungen mit bereits aus der Literatur bekannten Elektronentraps zeigen. Bei den tiefenaufgelösten DLTS-Messungen wurde eine starke Abhängigkeit der Trapkonzentration von der angelegten Vorspannung gefunden. Insgesamt wurden für die einzelnen Störstellen zwei unterschiedliche Tiefenprofile beobachtet, die sehr gut mit den Implantations-Tiefenprofilen einerseits und der Verteilung der generierten Stickstoff- und Gallium-Leerstellen andererseits korrelieren. Aufgrund dieser Tatsache können die letzteren Defekte als Vakanz-korrelierte Niveaus interpretiert werden.