Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.13: Poster

Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Tiefenaufgelöste Strukturuntersuchungen an Nitrid-Halbleiter-Schichtsystemen mittels SAXRD (Skew Angle X-Ray Diffraction) — •A. Reiher, J. Bläsing und A. Krost — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, PF 4120, D-39016 Magdeburg

Das wesentliche Problem bei der Züchtung von nitridischen Halbleiterschichten ist die hohe Störungsdichte. Hierbei spielen Versetzungen, Verdrehungen und Verkippungen der einzelnen Kolumnen eine Rolle. Außerdem verändert sich die Störungsdichte mit der Tiefe. Das Störungsprofil kann mittels der Methode der SAXRD bestimmt werden. Bei dieser Methode wird die Probe um die Normale einer asymmetrischen Netzebenenschar gedreht. Damit erhält man z.B. Rockingkurven ein und derselben Netzebenenschar für verschiedene Eintrittswinkel. Dadurch werden die Streubeträge aus unterschiedlichen Tiefen jeweils neu gewichtet. Damit kann ein Störungsdichteprofil z.B. dicker GaN-Schichten erstellt werden. Besonders interessant ist der Fall einer Probe mit einer Aluminiumkonzentration von 24,9%. Unter Verwendung des (10-13)-AlGaN-Reflexes streift der Bragg-Kegel die Probenoberfläche.