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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.18: Poster

Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Ellipsometrische Untersuchungen von Gitterschwingungen und Bandlückenenergien kubischer Al_1−xGa_xN-Filme — •A. Kasic¹, M. Schubert¹ und D. J. As² — ¹Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Inst. für Exp. Physik II, 04103 Leipzig — ²Universität Paderborn, Fachbereich Physik-Optoelektronik, 33098 Paderborn

Gruppe-III-Nitride in der metastabilen (kubischen) Zinkblendestruktur zeigen einige physikalische Eigenschaften, die sie gegenüber der hexagonalen Modifikation als vorteilhaft für elektrische und optoelektronische Anwendungen erscheinen lassen. Dennoch sind bislang etliche grundlegende physikalische Eigenschaften ternärer kubischer Gruppe-III-Nitrid-Verbindungen kaum untersucht. Mittels spektroskopischer Ellipsometrie wurde die dielektrische Funktion kubischer Al_1−xGa_xN-Filme (0.07 ≤ x ≤ 0.20) vom fern-infraroten bis zum Vakuum-UV-Spektralbereich (100 cm⁻¹… 9 eV) in Parameterdarstellung bestimmt. Die 0,3 bis 0,5 µm dicken AlGaN-Filme wurden mittels RF-plasmaunterstützter MBE bei T = 835 ^∘C auf β-GaN / (001) GaAs gewachsen und weisen eine Konzentration freier Ladungsträger im Bereich von 10²⁰ cm⁻³ auf. Die mit Infrarot-Ellipsometrie bestimmten Phononenmodenspektren (transversal-optische Gitterresonanzen, Plasmon-Phonon-Kopplungsmoden) werden mit µ-Raman-Ergebnissen verglichen. Auf Grundlage der gewonnenen parametrisierten dielektrischen Funktion können die Übergangsenergien der kritischen Punkte E₀ (fundamentale Bandkante), E₁ und E₁+Δ₁ in Abhängigkeit von x ermittelt werden.