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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.19: Poster

Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Elektrooptische Effekte in GaN — •R. Goldhahn, S. Shokhovets und G. Gobsch — Institut für Physik, TU Ilmenau, PF 100565, 98684 Ilmenau

Das Verständnis der elektrooptischen Erscheinungen und die Bestimmung der elektrooptischen Koeffizienten von Nitridhalbleitern ist sowohl für optoelektronische Anwendungen (elektrooptische Phasen- und Amplitudenmodulatoren, Optimierung der Quantum-Well-Strukturen, der Bragg Reflektoren etc.), als auch für die Grundlagenphysik (Bandstruktur, elektronische und ionische Beiträge zur linearen und nichtlinearen optischen Suszeptibilität) wichtig. Wir präsentieren Daten für den linearen und quadratischen elektrooptischen Effekt in Wurtzit- und Zinkblende-GaN, die aus Elektro- und Photoreflexion sowie Impedanz-Spannungs-Messungen ermittelt wurden. Ein Vergleich mit Experimenten anderer Gruppen zur Generierung der zweiten Harmonischen zeigt, daß es, im Gegensatz zu Gruppe-III-Arseniden und -Phosphiden bzw. II-VI Verbindungen, einen wesentlichen ionischen Beitrag zu den elektrooptischen Effekten gibt. Die Ergebnisse werden auf der Basis der piezoelektrisch induzierten und spontanen Polarisation des Gitters analysiert. Schlußfolgerungen für optoelektronische Anwendungen werden vorgestellt.