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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.27: Poster
Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Zweidimensionale Elektronensysteme an geätzten Grenzflächen. — •S. Beyer, S. Löhr, C. Heyn und W. Hansen — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstrasse 11, D-20355 Hamburg
Wir untersuchen hochbewegliche zweidimensionale Elektronensysteme an in-situ trockengeätzten Grenzflächen. Eine MBE-Anlage wurde hierfür um eine spezielle Prozesskammer erweitert, die es uns erlaubt Proben unter Ultrahochvakuumbedingungen einem Ätzprozess auszusetzen und anschliessend in der MBE epitaktisch zu überwachsen. Nach dem epitaktischen Wachstum einer undotierten, GaAs-Pufferschicht wurden mit Ätzprozessen wie CGE (chemical gas etching), IBE (ion beam etching) und CAIBE (chemical assisted ion beam etching) bis zu 300 nm wieder von der Pufferschicht abgetragen. Anschliessend wurde die Oberfläche mit einer modulationsdotierten AlGaAs-Barriere epitaktisch in der MBE überwachsen. Die mit Magnetotransport bestimmten Elektronenbeweglichkeiten des zweidimensionalen Elektronensystems erreichten bis zu 90.000 cm2/Vs bei einer Elektronendichte von ca. 4,0·1011 cm−2. Diese Technik erlaubt es neuartige niederdimensionale Strukturen auf der Basis von GaAs/AlGaAs-Halbleiterheterostrukturen herzustellen.