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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.30: Poster
Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Optische Konstanten, Phononen-Eigenschaften und Zusammensetzung von InGaAsN Einzelschichten — •Gunnar Leibiger1, Volker Gottschalch1 und Mathias Schubert2 — 1Universität Leipzig, Fakultät für Chemie und Mineralogie, AG Halbleiterchemie, Linnestr. 3, 04103 Leipzig — 2Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, AG Festkörperoptik, Linnestr. 5, 04103 Leipzig
Mittels metall-organischer Gasphasen-Epitaxie (MOVPE) wurden InxGa1−xAs1−yNy Einzelschichten (x<0.13, y<0.03, d≈ 450 nm) auf (001) Te-GaAs abgeschieden. Alle Proben wurden mittels spektroskopischer Ellipsometrie für Wellenzahlen von 100 bis 600 cm−1 (fir) und für Photonen-Energien von 0.75 eV bis 1.6 eV (nir) untersucht. Im nir-Bereich werden als Ergebnis einer Modellrechnung die optischen Konstanten n und k sowie die Bandlücken-Energien präsentiert. Aus der Analyse im fir-Bereich folgt ein 2-Moden Phononen-Verhalten für alle InGaAsN Schichten. Die TO-Frequenzen der GaAs-und GaN-artigen Mode liegen bei Wellenzahlen um 267 cm−1 bzw. 470 cm−1. Aus der Amplitude der GaN-artigen Mode sowie aus Ergebnissen der hochauflösenden Röntgen-Diffraktometrie werden die Stickstoff-und Indium Konzentrationen in den InGaAsN Schichten bestimmt. Die berechneten Stickstoff-Konzentrationen reflektieren Wachstumseigenschaften, wie steigender Stickstoff-Einbau mit abnehmender Wachstums-Temperatur, mit abnehmendem Indium-Gehalt in der InGaAsN-Schicht sowie mit steigender Stickstoff-Konzentration in der Gasphase.