Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.33: Poster

Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Optische und elektrooptische Charakterisierung von geordnetem InGaAs und InGaAsP im Hinblick auf polarisationssensitive Bauelementanwendungen — •J. Spieler¹, A. Lese¹, T. Kippenberg¹, P. Kiesel¹, P. Velling², S. Neumann² und G.H. Döhler¹ — ¹Institut für Technische Physik I, Erwin–Rommel–Str. 1, 91058 Erlangen — ²Halbleitertechnik/Halbleitertechnologie,Lotharstr. 55 LT, 47048 Duisburg

In zahlreichen ternären III-V Halbleitern bildet sich bei geeigneter Parameterwahl während der metallorganischen Gasphasenepitaxie eine spontane Selbstordnung der Gruppe III Atome aus. Im Falle von InGaAs und GaInP besteht diese aus einem Übergitter monoatomar abwechselnder indium- bzw. galliumreicher [111]_B Ebenen. Die neue Kristallsymmetrie führt unter anderem zu weitreichenden Änderungen der elektronischen Bandstruktur sowie einer ausgeprägten optischen Polarisationsanisotropie.

Detaillierte Untersuchungen erbrachten Aufschluß über den Einfluß unterschiedlicher Wachstumsparameter auf die Ausbildung der Ordnung in InGaAs. Darauf aufbauend gelang es, auf Anhieb ebenfalls gut geordnete quaternäre InGaAsP Proben auf InP herzustellen. Die optische und elektrooptische Charakterisierung der Proben mittels polarisationsempfindlicher Reflexions-/Transmissions-, Dunkelfeld- und Elektroabsorptionsmessungen zeigt eine unerwartet starke Polarisationsanisotropie der Absorption. Dies prädestiniert geordnetes InGaAsP für polarisationssensitive Bauelemente im Bereich der Glasfaserkommunikation.