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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.35: Poster
Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Analyse von Versetzungsringen in III-V-Verbindungshalbleitern mittels konvergenter Elektronenbeugung — •Christian Jäger1, Erdmann Spiecker1, Wolfgang Jäger1 und Jean Paul Morniroli2 — 1Mikrostrukturanalytik, Technische Fakultät der Christian-Albrechts-Universität zu Kiel, Kaiserstraße 2, D-24143 Kiel, Germany — 2Laboratoire de Métallurgie Physique de l‘URA CNRS 243, Université de Lille 1, F-59655 Villeneuve d’Ascq Cedex, France
Die bei der Diffusion von Dotierelementen gebildeten Versetzungsringe in GaP und GaAs wurden an elektronentransparenten Querschnittsproben mittels konvergenter Elektronenbeugung (engl. large angle convergent beam electron diffraction - LACBED) und konventioneller Kontrastanalyseverfahren im Transmissionselektronenmikroskop untersucht. Abhängig von den Diffusionsbedingungen entstehen vollständige Versetzungsringe durch die Kondensation von Leerstellen oder Zwischengitteratomen. Die Versetzungsringe liegen auf {110} Ebenen und besitzen Burgersvektoren vom Typ a/2<110> senkrecht zur Ringebene. Eine neue Methode zur Bestimmung der Natur dieser Versetzungsringe (Leerstellen- bzw. Zwischengitteratomtyp) wird präsentiert. Diese beruht auf der vollständigen Bestimmung des Burgersvektors mittels LACBED. Die Methode wird mit Kontrastanalyseverfahren verglichen, welche auf dem sogenannten inside-outside Kontrast von Versetzungsringen beruhen.