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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.40: Poster

Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Sulfidische photochemische Passivierung - eine Methode zur Reduzierung der Oberflächenzustandsdichte von III-V Halbleitern — •Thorsten Simonsmeier und Wolfgang Bauhofer — AB Materialien der Elektrotechnik und Optik, TU Hamburg-Harburg, Eißendorfer Str. 38, D-21073 Hamburg

Fortschritte in der Mikro- und Optoelektronik sind sehr eng mit Entwicklungen auf dem Gebiet der III-V Halbleiter verbunden. Die Eigenschaften solcher Bauelemente werden wesentlich durch Effekte an ihren Grenzflächen geprägt. Reale Grenzflächen der III-V Verbindungen sind häufig durch sehr hohe elektronische Zustandsdichten gekennzeichnet, die zur Fixierung der energetischen Lage des Fermi-Niveaus an der Oberfläche führen. Eine gezielte Behandlung der Oberfläche führt zu einer deutlichen Verbesserung der elektronischen Eigenschaften der Grenzschicht und somit zur Optimierung der Halbleiterbauelemente.
Untersucht wird die Behandlung einer GaAs-Oberfläche mit unterschiedlichen Natriumsulfid-Lösungen. Bei dem Prozess findet ein Abbau der natürlichen Oxidschicht bei gleichzeitiger Passivierung der Oberfläche mit einer Sulfidschicht statt. Die gezielte Beleuchtung der Probe während der Oberflächenbehandlung führt zu einer erheblichen Verbesserung des Passivierungseffektes im Vergleich zu traditionellen Passivierungsmethoden. Diskutiert werden die Ergebnisse des Passivierungsprozesses in Abhängigkeit vom verwendeten Lösungsmittel unter verschiedenen Beleuchtungsverhältnissen insbesondere im Hinblick auf die Austrittsarbeit des Halbleitermaterials. Variiert werden u.a. die Wellenlänge und die Intensität des Lichtes während der Oberflächenbehandlung.