Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.41: Poster
Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Einfluß der Temper-Bedingungen auf die implantationsinduzierte Durchmischung von AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs Quantumwells — •S. Cronenberg, D. Reuter, S. Eshlagi und A. D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr Universität Bochum, Universitätsstr. 150, 44780 Bochum
Es wurden AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs Quantentöpfe, die mit Hilfe von Molekularstrahlexpitaxie(MBE) hergestellt worden waren, durch Ionenimplantation und anschließendes Tempern durchmischt.
Die Ionenimplantation erfolgte maskenlos in einer Focussed-Ion-Beam(FIB) Anlage mit Ga+ Ionen bei einer Energie von 100keV. Der Ionenimplantation folgte ein schneller thermischer Ausheilschritt bei Temperaturen von 700 bis 900∘C.
Die Durchmischung in den Quantentöpfen wurden durch Photolumineszenzmessungen(PL) nachgewiesen un analysiert. Dabei erfolgte eine charakteristische Blauverschiebung des PL-Signals, die den Modellannahmen entspricht.