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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.46: Poster

Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

UHV-Ramanspektroskopie an CdSe Monolagen auf BeTe Oberflächen — •J.W. Wagner¹, T. Muck¹, V. Wagner¹, J. Geurts¹, L. Hansen¹, A. Waag², S.V. Sorokin³, S.V. Ivanov³ und P.S. Kop’ev³ — ¹Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Experimentelle Physik III, Am Hubland, D-97074 Würzburg — ²Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm — ³Ioffe Physico-Technical Institut of RAS, St. Petersburg

CdSe/BeTe Heterostrukturen sind wegen ihres hohen Elektron-Einschlusses für (opto)-elektronische Anwendungen sehr interessant (E_CdSe=1.8 eV, E_BeTe=4.2 eV). Wegen der hohen Gitterfehlanpassung von 7 % ergeben sich oberhalb von 3 Monolagen selbstorganisierte CdSe Quantenpunkte. Wir untersuchen CdSe-Bedeckungen unterhalb dieser kritischen Dicke, sowie ihre Grenzfläche zum unterliegenden BeTe. Bei
der MBE-Deposition lassen sich gezielt entweder CdTe- oder BeSe-Interfaces (IF) einstellen. Messungen an CdSe/BeTe-Übergittern zeigen die beste Qualität für CdTe-IF. Mit Hilfe der Ramanspektroskopie unter Ultrahochvakuumbedingungen untersuchen wir sowohl reine BeTe-Oberflächen vor der CdSe-Deposition, als auch nach der Deposition von 1 bis 3 ML CdSe. Bei der Deposition wird außerdem die IF-Konfiguration gezielt variiert. An den reinen Oberflächen beobachten wir polarisationsabhängige Ramanstrukturen von Te-Dimeren. Bei CdSe Bedeckung verschwinden diese weitgehend und werden bereits ab 1 ML durch Peaks von CdSe und vom Interface ersetzt. Bis zur kritischen Schichtdicke äußert sich der IF-Einfluß in der Polarisationsabhängigkeit dieser Peaks.