Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.47: Poster

Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Raman- und Photolumineszenzspektroskopie an BeTe/CdSe-Heterostrukturen und Grenzflächen — •T. Muck¹, J. Wagner¹, V. Wagner¹, J. Geurts¹, L. Hansen¹, A. Waag², N. Sadchikov³, S.V. Sorokin³, S.V. Ivanov³ und P.S. Kop’ev³ — ¹Physikalisches Institut, Experimentelle Physik III, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg — ²Universität Ulm, Abteilung Halbleiterphysik, D-89081 Ulm — ³Ioffe Physico-Technical Institute of RAS, St. Petersburg

Die Eigenschaften moderner Halbleiterheterostrukturen werden entscheidend von strukturellen und elektronischen Eigenschaften ihrer Grenzflächen beeinflußt. Wir verwenden Raman- und PL-Spektroskopie zur Grenzflächenanalyse. Die Beobachtung von stark lokalisierten Grenzflächenschwingungen wird durch das große Phononengap von BeTe (120 cm⁻¹ bis 460 cm⁻¹) prinzipiell ermöglicht. Beim MBE-Wachstum von CdSe-Monolagen in einer BeTe-Matrix wurden sowohl Proben mit CdTe- als auch welche mit BeSe-Grenzflächen hergestellt. Die ersteren besitzen eine höhere strukturelle Qualität: nur hier erscheinen tatsächlich Grenzflächenmoden. Ihre Frequenzen lassen sich unter Berücksichtigung von Bereichen mit 1 ML CdSe und welchen mit 2 ML quantitativ im Rahmen einer linearen Kette beschreiben. Die unteren und oberen CdTe-Grenzflächen, deren Bindungen [110] bzw. [1-10] gerichtet sind, lassen sich mittels polarisierten Raman- und PL-Experimenten unterscheiden. Hierbei beobachten wir in den oberen Grenzflächen eine größere Be- und Se-Beimischung als in den unteren.